MUENCHEN (IDG) - NEC hat einen 1-GB-Speicherchip entwikkelt. Auf dem Entwicklertreffen International Solid State Circuits Conference (ISSCC) in San Franzisko konnte das japanische Unternehmen einen Prototypen des DRAM-Bausteins zeigen.

An die Massenproduktion ist aber vorerst nicht zu denken, weil die dafuer noetigen hochaufloesenden Belichtungsmaschinen noch nicht zur Verfuegung stehen. Das jetzige Labormuster werde erst 1998 gefertigt werden koennen, grosse Stueckzahlen seien erst im Jahr 2000 zu erwarten.

Auch Hitachi will einen 1-GB-Baustein im Labor fertiggestellt haben. Weitere Einzelheiten wollen die Japaner aber erst in den naechsten Monaten ankuendigen. Zu erwarten ist, dass beide Chips mit hoeheren Uebertragungsraten aufwarten koennen als heutige Dynamic- Random-Access-Memory-(DRAM-)Bausteine. Bei NEC nannte man Werte um die 400 MB/s - dreimal mehr, als der leistungsfaehige PCI-Bus transportieren kann.

Gleichzeitig wurde bekannt, dass NEC und der koreanische Samsung- Konzern bei der Chipproduktion zusammenarbeiten werden. Samsung will pro Monat 100000 4-Mbit-Speicherbausteine von NEC abnehmen und darueber hinaus auch Siliziumscheiben (Wafer) fuer die Chipfertigung aus NECs schottischem Werk einkaufen. Die Wafer wird Samsung in einer eigenen Fabrik in Portugal fuer die Produktion von 4-Mbit-Chips nutzen. Samsung umgeht damit die EU-Einfuhrzoelle fuer Speicherbausteine, und NEC kann die Firmenerweiterungen finanzieren, die man vor sechs Monaten begonnen hat.