Gegenwärtig produziert der Halbleiterkonzern die Pentium-4-Prozessoren im 0,13-Mikrometer-Verfahren. Die Angabe bezieht sich auf die Breite der Leiterbahnen auf dem Chip. Mit dem neuen Verfahren verkleinert Intel die Leitungen auf 0,09 Mikrometer (90 Nanometer). Damit lassen sich auch mehr Transistoren auf einem Stück Silizium platzieren, was die Leistung der Chips erhöht.

Auch die Transistoren selbst fallen mit einer Länge von 50 Nanometern kürzer aus als bisher. Den Angaben zufolge verfügt Intel damit über die kleinsten CMOS-Transistoren (CMOS = Complementary Metal-Oxide Semiconductor), die gegenwärtig in der Chipfertigung verwendet werden. Für den aktuellen Prozessor Pentium 4 setzt der kalifornische Hersteller 60 Nanometer lange Transistoren ein.

Leistungsfördernd wirkt sich Unternehmensangaben zufolge auch der Einsatz von "strained silicon" aus. Bei diesem Verfahren wird das eingesetzte Silizium durch eine zusätzliche Silizium-Germanium-(SiGe-)Schicht minimal gestreckt; Elektronen fließen deshalb schneller und beschleunigen die Prozessorleistung, unabhängig von der Größe der Transistoren.

Trotz der Leistungssteigerung sollen die neuen Chips weniger Strom verbrauchen als bisher. Intel erhofft sich zudem Kostenvorteile, da sich aus den 300 Millimeter großen Silizium-Wafern künftig mehr Chips gewinnen lassen als mit der alten Technik.

Den 90-Nanometer-Prozess nutzt Intel bereits für die zur diesjährigen CeBIT präsentierten SRAM-Speicherbausteine mit 52 MB Kapazität. Produziert werden die Halbleiter in der Fertigungsstätte Hillsboro im US-Bundesstaat Oregon. Die Fabrik soll auch die erste sein, die den Pentium-4-Nachfolger in großen Stückzahlen herstellt. (wh)