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Intel stellt NOR-Flash-Speicher auf 90-Nanomenter-Basis vor

20.02.2004

MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Der Chiphersteller Intel hat auf der Hausmesse IDF (Intel Developer Forum) den eigenen Angaben zufolge weltweit ersten NOR-Flash-Speicher mit 90 Nanometer Strukturbreite angekündigt.

Laut Executive Vice President Sean Maloney sind die Bauteile nur halb so groß wie die der Vorgängergeneration. Das ermögliche die Verdoppelung der Produktionskapazitäten und senke die Fertigungskosten. das erste Produkt auf Basis der neuen Technologie ist ein Single-Cell-Flash-Speicher. Im Laufe des Jahres soll auch die Produktion von Multi-Level-Cell-Komponenten (MLC) starten, die das Datenvolumen jeder Speicherzelle verdoppelt.

Die Komponenten sind für den Einsatz in drahtlose Geräte gedacht und ermöglichen laut Hersteller das direkte Ausführen von Code (Execute in Place), die Programmierung des Flash-Speichers in der Produktionsumgebung (Enhanced Factory Programming) sowie die Daten- und Code-Speicherung in einem einzigen Chip. Durch eine einheitliche PIN-Belegung sollen Gerätedesigner die Chips leicht integrieren können. Auf einer Größe von acht mal elf Millimetern lassen sich Speicherdichten bis zu einem Gigabit realisieren, verspricht Intel.

Erste Intel Wireless Memory Flash-Speicher auf Basis der 90-Nanometer-Fertigungstechnologie verfügen über 64 Megabit Speicherdichte und sind voraussichtlich ab April in Mustern verfügbar. Die Serienproduktion ist für das dritte Quartal 2004 geplant Der Preis liegt bei 10,26 Dollar bei Abnahme von 10.000 Stück.

Im Laufe des Jahres will Intel außerdem erste Muster von "StrataFlash"-Speichermodulen herausbringen. Die MLC-Bausteine werden in Speicherdichten von 256 und 512 Megabyte sowie verschiedenen gestapelten Varianten verfügbar sein. (lex)