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Intel macht Fortschritte bei Tri-Gate-Transistoren

11.06.2003

MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Laut Intel werden so genannte Tri-Gate-Transistoren Bestandteile künftiger Siliziumchips sein. Die Bauteile haben drei Gates statt einem. Dadurch werden Leistungsverluste vermieden, die zu erhöhtem Energieverbrauch und hohen Temperaturen eines Prozessors führen. Entsprechende Grundlagenforschungen hat Gerald Marcyk, Director of Components Research, im September 2002 auf der International Solid State Device and Materials Conference im japanischen Nagoya präsentiert (Computerwoche online berichtete).

Nun hat Intel Prototypen des Transistors auf dem VLSI-Symposium (Very Large Scale Integration) in Kyoto gezeigt. Die Gates sind 30 Nanometer lang, sollen aber im Zuge weiterer Entwicklungen auf eine Länge von 20 Nanometern schrumpfen. Der Tri-Gate soll nun gemeinsam mit ein paar Design-Alternativen weiterentwickelt und ab 2007 in Chips verbaut werden. (lex)