MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Der Münchner Halbleiterkonzern Infineon will mit seinem amerikanischen Konkurrenten Micron bei der Entwicklung von so genanntem CellularRAM zusammenarbeiten, einer vor allem für 2,5G- und 3G-Endgeräte gedachten DRAM-Abart (Dynamic Random Access Memory). Genauer handelt es sich laut Infineon-Sprecher Günter Gaugler um einen neuen Typ von hoch dichtem SRAM (Static RAM), das auf DRAM-Zellen mit nur einem Transistor statt der bei SRAM üblicheren sechs Transistoren basiert. Damit sollen kleinere Baugrößen und geringere Leistungsaufnahme möglich werden.

Infineon und Micron werden im Zuge ihrer Kooperation die Spezifikationen für kompatible Produkte gemeinsam entwickeln, die resultierenden Chips aber jeweils eigenständig und mit der eigenen Prozesstechnik fertigen. Gegen Ende dieses Jahres soll das erste Gerät mit 32 MB CellularRAM auf den Markt kommen, Varianten mit 16 und 64 MB sind für die erste Hälfte kommenden Jahres geplant. Finanzielle Details der Partnerschaft wurden nicht veröffentlicht. (tc)