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IDF: Rambus macht DRAM Beine

26.02.2002

MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Rambus hat schnellere Versionen seiner DRAM-Chips angekündigt. Auf dem Intel Developer Forum (IDF), das diese Woche in San Franzisko stattfindet, will der Hersteller das neue Modell der RDRAM-Serie, "RIMM4200", (Rambus Inline Memory Module) zeigen. Der Speicherbaustein soll neben leistungsfähigeren Chips auch einen zweiten Speicherkanal bieten und damit die Bandbreite zum Mainboard erhöhen. Außerdem hat Rambus in den neuen RDRAMs die Taktfrequenz von 800 auf 1066 Megahertz erhöht.

Damit bringt es der RIMM4200 laut Hersteller auf einen Datendurchsatz von 4,2 Gigabyte pro Sekunde. Der aktuelle "RIMM1600" kann nur eine Datenmenge von 1,6 Gigabyte pro Sekunde verarbeiten. Das 4200er-Modell soll im zweiten Quartal 2002 auf den Markt kommen. Die Preise stehen noch nicht fest.

Bis zum Jahr 2005 will Rambus Speicherbauteile entwickeln, die bei einer Taktrate von 1200 Megahertz bis zu 9,6 Gigabyte Daten pro Sekunde durchschleusen können. (lex)