MÜNCHEN (pi) - Wenn komplizierte Prozesse durch Mikrocomputer überwacht werden sollen, dann empfehlen sich zur Verarbeitung der Datenmengen und Meßgrößen sowohl kleinere Rechner "vor Ort" als auch zentrale Rechner in hierarchischer Gliederung. Für sein modulares Mikrocomputer-Baugruppensystem im Doppeleuropaformat (AMS) stellt Siemens fünf neue Zentralcomputer und zwei Speicher-Baugruppen vor.
Die Zentralcomputer-Baugruppe AMS-D6 enthält nach Siemens-Angaben einen 16-Bit-Mikroprozessor SAB 8086, 8 KB statisches RAM und bis zu 16 KB EPROM. Weitere Funktionen nehmen Interrupt-Controller (SAB 8259) und ein programmierbarer Zahler/Zeitgeber-Baustein (AM 9513) wahr.
Auf der Baugruppe AMS-D7 sei zusätzlich zu den Funktionen der AHM-D6 ein numerischer Datenprozessor als Co-Prozessor eingesetzt. Dieser Co-Prozessor entlaste den Zentralprozessor bei umfangreichen mathematischen Berechnungen, um den Datendurchsatz zu steigern.
Die AMS-D9-Baugruppe umfaßt ebenfalls die Funktionen der AMS-D6 und einen Ein-/Ausgabeprozessor SAB 8086 als Co-Prozessor zum SAB 8086. Mit dem SAB 8089 steht laut Siemens ein intelligenter DMA-Controller zur Verfügung, wodurch die Zentralcomputer-Baugruppe AMS-D9 für intensive Ein-/Ausgabe-Anwendungen geeignet sei.
Lokaler Bus unabhängig
Mit den neuen Baugruppen verfügt laut Siemens das AMS erstmals über einen "Resident-Bus", der die AMS
Bus-Struktur erweitert. Dieser Resident-Bus sei ein lokaler Bus, über den schnelle Speicher- und Ein-/Ausgabe-Baugruppen direkt und vom System-Bus unabhängig einem ZentraIcomputer zugeführt werden könnten.
Die Zentralcomputer AMS-D1 und AMS-D11 enthalten den Mikroprozessor SAB 8085, 4 KB RAM, bis 32 KB EPROM und den von Siemens entwickelten Multifunktions-Baustein SAB 8256. Damit sind die Funktionen für asynchrone, serielle Schnittstelle, 16 parallele Ein-/Ausgabeleitungen, fünf Zähler/Zeitgeber (8 Bit kaskadierbar) und eine maskierbare Interrupt-Prioritätslogik gegeben (alles Herstellerangaben).
Der Unterschied zwischen der Baugruppe AMS-D1 und AMS-D11 liege in der Technologie des Schreib-/Lesespeichers. Die Baugruppe AMS-D1 enthält statische NMOS-Bausteine, während die AMS-D11 mit statischen CMOS-Bausteinen und einer Power-fail-Logik zur Erkennung von Spannungseinbrüchen und Spannungsausfällen arbeite. Durch diese Power-fail-Logik könnten rechtzeitig Datensicherungsmaßnahmen eingeleitet werden.
Die Speicherbaugruppe AMS-D127 schließlich verfügt über EPROM (maximal 16 KB) und über statische CMOS-RAM (8 KB). Tausend Tage lang könnten bei Spannungsausfall die Daten durch eine Batterie gehalten werden. Ebenfalls batteriegepuffert sei der zweite Speicher AMS-D128 dessen Schreib-/Lesespeicher
jedoch doppelt so große Kapazität (16 KB CMOS-RAM) habe.
Informationen: Siemens AG, Postfach 103, 8000 München 1, Telefon: 089/23 41.