MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Applied Materials, der kalifornische Ausrüster von Halbleiterproduzenten, hat eine Fertigungstechnologie entwickelt, die Chipschaltkreise mit einem Durchmesser von weniger als 80 Nanometern herstellen kann. Das "Silicon Etch HART Chamber" (High Aspect Ratio Trench) ist für 200 und 300 Millimeter große Wafer geeignet. Bislang können die von Applied Materials vertriebenen Geräte Schaltkreise mit einem Durchmesser von 180 Nanometern (0,18 Micron) produzieren. Die neue Fertigungstechnik will die US-Company auf der am heutigen Montag beginnenden Messe "Semicon West" in San Franzisko vorstellen.

Auch die IT-Konzerne Intel und IBM meldeten vor kurzem Forschungserfolge in Sachen Chipentwicklung. Intel gelang es nach eigenen Angaben, Schaltkreise mit nur 20 Nanometer Durchmesser zu fertigen. Chips mit einer Milliarde Transistoren könnten dadurch eine Taktrate von 20 Gigahertz erreichen. IBM verkündete die Herstellung des mit einer Taktrate von 210 Gigahertz weltweit schnellsten Silizium-Transistors sowie eine Methode, die Atome eines Halbleiters so zu manipulieren, dass dieser um bis zu 35 Prozent schneller läuft (Computerwoche online berichtete).