WASHINGTON (vwd) - IBM, Siemens und Toshiba haben auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) in Washington einen ersten Baustein fuer den gemeinsam entwickelten 256-Mbit-DRAM-Chip vorgestellt. Forscher der Elektronikkonzerne berichteten ueber eine Speicherzelle, die mit einer Flaeche von 0,0006 Quadratmillimetern um 25 Prozent kleiner als bisher bekannte Zellbausteine ist. Ein erster Test-Chip mit 512 000 dieser Zellen wurde bereits produziert. Der 256-Mbit-Chip wird voraussichtlich zum Ende dieses Jahrzehnts serienreif sein.