Intel-Sprößlinge:

2. und 3. Generation

03.02.1978

MÜNCHEN (pi) - Eine "dritte Generation" dynamischer 4K-RAMs stellte die Intel Semiconductor GmbH, München, kürzlich vor. Besondere Merkmale der neuen Serie 2107C sind nach Intel-Angaben ein gegenüber bisherigen 4K-RAMs erhöhter Spannungsabstand und kürzere Zugriffszeiten (150 ns, 200 ns oder 250 ns) bei gleichzeitig reduzierter Leistungsaufnahme (typisch: 420 mW).

Als "zweite 16K-RAM-Generation" apostrophierte Intel seine ebenfalls neuen Halbleiter-Chips 2117-2, -3 und -4 mit Zugriffszeiten von 150 ns, 200 ns beziehungsweise 250 ns. Alle Versorgungsspannungen haben - wie die der neuen 4K-RAMs - eine maximale Toleranz von 10 Prozent.

Informationen: Intel Semiconductor GmbH, Seidlstraße 27, 8000 München 2, Telefon 089/55 81 41